碳化硅高溫氧化爐

Centrotherm Oxid工作桌ator 150 經過專業團體的研發， 能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝； 同時亦可用於常規的硅圓片的氧化。

爐管和加熱器均處於真空密閉反應腔內； 輸送機上下料腔室可用Ar或 N2 進行吹掃。這樣的設計可以保證有毒氣體 [如 NO， N2O， H2， NO2 等] 的安全使用。

高溫爐 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管）氧化工藝使用 N2O 氣氛， 可以改測試機台善 SiO2/SiC 接觸表面以獲得更高的通道遷移率， 同時可提高SiC表面氧化物的穩定性和壽命。

高達 1350 ℃ 的溫度和其他支持功能為研制SiC 氧化工藝和低界面陷阱密度， 高通道鋁擠型機架移動率的氧化層提供可能。

新式 centrotherm Oxidator 150 高效的反應腔，具有高性能， 低占地和降低成本生產的特點； 提供最高的工藝靈活度， 同時能夠保證有毒氣體的安全使用。